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| 规格书 |
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| 文档 |
TISP Series Feb/2013 |
| 标准包装 | 15,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 2.5V @ 800mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 500mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 频率转换 | 12MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 400 V |
| 集电极最大直流电流 | 4 A |
| 最小直流电流增益 | 20@0.5A@5V |
| 最大工作频率 | 12(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.5A@2.5A|2.5@0.8A@4A|5@0.8A@4A V |
| 最大集电极基极电压 | 850 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 75000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 集电极最大直流电流 | 4 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Maximum Transition Frequency | 12(Typ) |
| 包装宽度 | 4.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 75000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 850 |
| 最大集电极发射极电压 | 400 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 10.4(Max) |
| 包装高度 | 8.72(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 10 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 12MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 2.5V @ 800mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 标准包装 | 15,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 500mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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